三星电子3nm工艺采用了GAA（全环绕栅极）制程工艺，芯片性能比5nm提升23%，功耗下降45%，面积减少16%。第二代3nm性能提升30%，功耗降低50%，面积减少35%。
与 5nm 工艺相比，第一代 3nm 工艺可以使功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面积减少 16%；而第二代 3nm 工艺则使功耗降低 50%，性能提升 30%，芯片面积减少 35%。（注：三星第二代 3nm 也要等到明年。）
在N3节点中，台积电采用了创新的FinFlex技术，进一步提升了3nm家族技术的PPA（效能、功耗及面积）。
2000年8月，中芯国际在上海拔地而起，到了2002年，中芯国际就在日本设立了子公司。2004年，中芯国际在美国上市，2020年7月16日，中芯国际登科创板，正式宣布回归。
联发科（MediaTek）最近的3nm芯片研制成功，是对所有质疑者的最有力回应。
iPhone 15搭载的A16仿生芯片，内置定制的图像信号处理器；5核GPU的内存带宽比A15仿生提升50%；6核CPU（2个高性能核心+4个高能效核心），比A15更快，能耗減少20%。
梁孟松入驻中芯国际后，中芯国际先后完成28nm、14nm、12nm的量产，7nm的技术完成开发，5nm、3nm关键技术已经展开，只待EUV光刻机。
这是文章尾部，联发科的3nm芯片的研制成功，就像一道曙光，照亮了中国芯片制造业的未来。这是一个标志，一个新时代的开端。中国政府如同明智的长者，采取了一系列的策略和措施，激励着国内企业为自己的未来而努力。与此同时，联发科带着它的3nm芯片，站在了世界的舞台中央。它不仅在性能上与国际竞争对手肩并肩，甚至超越了他们，而且价格更具竞争力。
那么问题来了，台积电3nm芯片究竟多厉害？内地芯片制造企业中芯国际，多久才能追上台积电？
一方面是因为智能手机需要在极小的内部空间里塞下算力惊人的芯片，同时还要极可能降低芯片的功耗和发热；
美国的芯片企业IBM率先发布2nm技术，美国的实力的确是很强，再一次地走在了全球的前列。随后，欧盟也是不甘示弱，瞄准2nm芯片发展，并且扬言要在2030年之前实现本土制造芯片总量占据全球的20%。最后，日本也表明要进军2nm，日本的半导体行业虽然之前被美国搞垮了，但是瘦死的骆驼比马大，其实力还是不可小觑的。
N3X 与 N4X 类似，并针对非常高的性能进行了优化。到目前为止，功率、性能目标和时间表尚未公布。
5、3nm芯片是什么意思而且从过去半年的消息来看，普遍指出 N3E 的良率要好于 N3B，一份文件显示，N3E 256Mb SRAM 平均良率达到 80%，Mobile 与 HPC 芯片的良率也达 80%。此前，也一直存在台积电考虑放弃 N3B 节点，推迟到 N3E 节点正式进入 3nm 的传闻。
英特尔的GPU和CPU也会在明年下半年采用台积电3纳米制程实现量产，其他如FPGA等也会在明、后年之后采用。
总的来说：GAA比FinFET的栅极控制能力更好，具有更高的有效沟道宽度，能够提供更高的性能，也能降低15%到20%的功耗。”
6、3nm芯片什么时候出2019 年，在台积电内部举办的运动会上，台积电创始人张忠谋被媒体问到了摩尔定律是否走到尽头时，他认为这个问题的答案，沒有人知道，因为后面至少还有 5nm、3nm 和 2nm 的技术。但他相信，摩尔定律的未来会是：
N3E在N3的基础上，性能提升、功耗降低、应用范围也更大。比N5E同性能下功耗下降34%，同功耗下性能提升18%。
甚至在业界传闻中，就连苹果也是与台积电签订了一份「对赌」协议，规定未来一年台积电 N3B 工艺为苹果专用，且废片均由台积电承担成本，而非苹果买单。
7、3nm芯片有多少个晶体管而相比于三星直接硬上全新的「GAAFET」，台积电依然采用了旧的「FinFET」技术。
三星电子3nm工艺采用了GAA（全环绕栅极）制程工艺，芯片性能比5nm提升23%，功耗下降45%，面积减少16%。第二代3nm性能提升30%，功耗降低50%，面积减少35%。
与 5nm 工艺相比，第一代 3nm 工艺可以使功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面积减少 16%；而第二代 3nm 工艺则使功耗降低 50%，性能提升 30%，芯片面积减少 35%。（注：三星第二代 3nm 也要等到明年。）
