模拟电子技术基础第五版答案(模拟电子技术基础第五版答案解析)

模拟电子技术基础第五版答案(模拟电子技术基础第五版答案解析)

1、模拟电子技术基础第五版答案pdf A.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体 D.若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零,则其输入电阻会明显变小 【解析】B项,N型