A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体
D．若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。
2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。[中山大学2018研]
【解析】低频跨导gm为ΔID与ΔuGS之比，当漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，显然gm增大。
3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。[中山大学2017研]
【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。
5UGS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。[中山大学2017研]
【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为负。而增强型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为正。P型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为正。而增强型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为负。综上，结型管和耗尽型MOS管符合题目要求。
6晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率fα、fβ、fT之间的关系是（）。[北京邮电大学2016研]
【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率fT＝βfβ，共基截止频率fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以fβ＜fT＜fα。
8二极管电路如图1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A点的电位是（）。[山东大学2017研]
5、模拟电子技术基础第五版答案pdf百度云【解析】若A点电位为4.3V，则所有二极管均导通，而0.3＋0.7V＝1V≠4.3V，所以A项矛盾，同理C项排除。
本章首先介绍了多级放大电路的耦合方式及分析方法，然后阐述了集成运放的结构特点、电路组成、电压传输特性，进而分析了组成运放的差分放大电路、电流源电路、互补输出级电路。通过本章的学习，读者应重点掌握集成运放的组成和各部分的特点、电压传输特性以及其常用的基本电路，包括差分放大电路、电流源电路和互补输出级电路。
集成运放常由输入级、中间级、输出级和偏置电路四部分组成，如图3-1-1所示。
6、模拟电子技术基础第五版答案pdf（4）要实现Au＝－100的放大电路，应该选用______。
【答案】（1）D；（2）H；（3）G；（4）A；（5）D；（6）E；（7）B；（8）J
【解析】（1）根据三角函数诱导公式可知将正弦波电压移相＋90°即得到余弦波，利用积分运算电路即可以实现正弦→余弦的移相功能。
7、模拟电子技术基础第五版答案第二章（2）乘方运算可得到正弦波的平方函数，利用三角函数倍角公式可将两次幂转化为二倍频。
（3）F反相输入求和运算输出电压有负号，而G同相输入求和运算电路可以满足要求。
（4）增益与反馈电阻和输入电阻有关，调整反馈电阻与输入电阻的比值即可实现放大倍数为100，由于Au＝－100＜0，所以选择反相运算电路。
8、模拟电子技术基础第五版答案杨素行（6）利用微分运算电路可以实现三角波→方波，方波→尖顶波的波形变换。
（7）增益与反馈电阻和输入电阻有关，调整反馈电阻与输入电阻的比值即可实现放大倍数大于100，同时由于Au＞100且为正，所以选择同相运算电路。
（8）电压跟随器可提高输入电阻，降低输出电阻，但对电压放大倍数不影响，所以可实现Au＝1的放大电路。
9、模拟电子技术基础第五版答案华成英[电子书] 童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）详解
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