当用黑表笔与栅极相接，再用红表笔分别去触碰另外两个极，若两次测出的电阻均较小（几至十几干欧），说明测的是PN结的正向电阻，被测管属于N沟道场效应管。若两次铡出的电阻均很大，说明测的是PN结的反向电阻，被测管属于P沟道场效应管。
所谓夹断电压，即是指当漏极电流ID→0（如ID＝luA）时，加在栅源极间的电压VGS，此时VGS＝VP（图3特性曲线中VP=-2.5V）。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
测试结型好效应管的放大能力，还可以参照测试晶体三极管放大能力的有关方法进行（参考《用万用表测试晶体三极管的电流放大系数β》，在此不再叙述。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
当用黑表笔与栅极相接，再用红表笔分别去触碰另外两个极，若两次测出的电阻均较小（几至十几干欧），说明测的是PN结的正向电阻，被测管属于N沟道场效应管。若两次铡出的电阻均很大，说明测的是PN结的反向电阻，被测管属于P沟道场效应管。
黑表笔接D（漏极），红表笔接S（源极），这个时候，正常的话应该有0.2~0.5的压降，万用表显示0.2~0.5之间数字。 如下图
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
(2)将万用表拨在R×1档上，将万用表两个表笔接在管子的另外两个管脚，用舌头舔一下基极，看表针指示，再将表笔对调，重复上述步骤，找出摆动大的一次。对与PNP型三极管，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极;而对于NPN型三极管，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
在判别出管型和基极b后，可用下列方法之一来判别集电极和发射极。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
5、n沟道场效应管怎么测量好坏三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种，每种又有PNP和NPN型两类。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
