但是，SiC晶体管的劣势在于，其价格相对较高，SiC生产过程也更加复杂。SiC价格较高的主因是因为SiC衬底导致：SiC晶体生长的速度缓慢，SiC晶体长1cm大约需要7天，相比之下，拉出一根2米左右的8英寸硅棒仅需要2-3天时间；SiC的硬度也很高，不仅切削时间长，而且良率还低，一般来说，硅片的切割只需要几个小时，而SiC则需要数百小时。因此，SiC产业链的实际控制权掌握在衬底供应商中。除此之外，其他生产成本也比Si高，但相对衬底所占的比重则较小，SiC加工生产需要更高的温度个更昂贵的耗材。SiC晶体管也存在一些缺点，比如容易受到损坏、温度敏感等问题。综合这些特点来看，SiC并不适用于一些低成本、低功率的应用场景。
近日，芯擎科技带来了自主研发的国内首款7nm车规级座舱芯片“龍鹰一号”，填补了国产高端车规级处理器领域空白。此前，高通主导该领域，但芯擎科技的技术突破为我国自主研发汽车芯片带来新的希望！
IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。据Yole数据显示，2022年全球IGBT的市场规模约为68亿美元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，预计2026年全球IGBT市场规模将达到84亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中国IGBT市场规模将达到522亿元。
在新能源汽车中，IGBT占整车成本的7%-10%。IGBT的技术壁垒非常高，被称为“半导体皇冠上的明珠”，全球IGBT基本呈现多寡头垄断格局。
比亚迪是做电池起家的，在进入汽车领域之后，就一直想要将电池与汽车结合起来，发展新能源汽车。
特斯拉的这一做法有两层深远意义：一个是，这对SiC来说是积极的消息，特斯拉此举扩大了SiC的潜在市场，使其可适用于低端市场；另外一个，特斯拉的做法也可能被其他原始设备制造商效仿，或再引发对IGBT的需求。Yole Intelligence的分析师表示，2023年，硅基IGBT用于EV逆变器在容量和成本方面在行业内处于有利地位。
我国一直是全球最大的芯片市场，为全球的半导体企业提供了前所未有的发展机遇。美国想的是，既不想放弃中国市场，还不想让中国搞研发。而美国越是打压的，我们就越要加倍努力。有些技术看着很神秘，有很强的技术壁垒，那是因为市场没有需求，像以前圆珠笔的钢珠，疫苗的玻璃瓶，口罩里的小钢条等等，再比如少量国防订单，就养活了龙芯，养活了景嘉微，换作以前，我们的企业是无论如何都打不进产业链的，现在好了，人家主动把市场给让出来了。
由于国外逐步加强半导体的出口管控，半导体行业供应链阵容分化，半导体设备国产化进程加速推进，我国半导体设备的市场规模增长明显，已成为全球第一大半导体设备市场。数据显示，2022年中国半导体设备市场规模约为2745.15亿元，同比增长58.1%。中商产业研究院预测，2023年半导体设备市场规模将达3032亿元。
IGBT是近期半导体元件中，涨价且一路供不应求的产品。从背后原因看，主要是现阶段IGBT供应量有限，但太阳能电厂大量建设，其逆变器对IGBT需求庞大，加上电动车也高度需要IGBT，各大车厂频频出手抢购所致。
之后，又划出专项资金用于支持IGBT产业的发展，在政策鼓励和引导下，一批中国企业开始尝试进军IGBT产业，打破西方国家的垄断。
特斯拉目前正在研发一款新的入门级车型——Model 2或Model Q，它将比现有车辆更便宜、更紧凑，在特斯拉看来，对于这种功能较少的小型汽车将不需要那么多的SiC器件来为其提供动力。
对于IGBT未来的供应情况，雷光寅乐观地表示：“目前，越来越多的中国厂商开始研发、制造IGBT。经过这几年的历练，相信会有更多高性价比的国产IGBT产品进入全球供应链，缓解供应短缺问题。”
5、igbt芯片龙头股按应用环节划分，半导体材料可分为前端晶圆制造材料和后端封装材料两大类。2021年，全球晶圆制造材料的市场规模为404亿美元，封装材料的市场规模为239亿美元，分别占比63%和37%。
功率半导体又爆出大缺货。据科技媒体报道，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，近期出现大缺货，不仅价格涨翻天，业界更以“不是价格多高的问题，而是根本买不到”来形容缺货盛况。
2006年起，国家开始大力扶持IGBT产业的发展，在《国家中长期科学和技术发展规划纲要》中，将IGBT列为15个重点技术之一。
6、IGBT芯片SiC上车的第一枪是特斯拉打响的，在过去五年中，SiC市场的增长在很大程度上取决于特斯拉，它是第一家在电动汽车中使用SiC材料的汽车制造商，也是现在最大的买家。但是由于成本太高的问题，特斯拉在前段时间召开的AI投资日上宣布在下一代车型上将SiC含量减少75%，这引起了行业的一波震动。75%可不是一个小数字！通过减少SiC在内的多个行动特斯拉将在下一代电动汽车中减少1000美元的成本。
今年一月，工业和信息化部等六部门联合发布的《关于推动能源电子产业发展的指导意见》指出，推动基础元器件、基础材料、基础工艺等领域重点突破，研究小型化、高性能、高效率、高可靠性的功率半导体等基础电子元器件。面向光伏、风电、储能系统等，发展新能源用耐高温、耐高压、低损耗、高可靠性IGBT器件及模块。
半导体材料是一类导电能力介于导体与绝缘体之间，可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。近年来，在汽车电子、5G通讯、智能终端等新兴领域强劲带动下，集成电路产业继续保持稳健发展，国内半导体材料产业规模也持续增长。2022年，国内半导体材料市场规模约914.40亿元，同比增长21.9%，预计2023年市场规模将增至1024.34亿元。
7、igbt芯片和igbt模块的区别IGBT被曝缺货，头部厂商上调价格！下游两大行业大爆发，券商上调景气值。
在引进高铁的2004年，英飞凌的IGBT芯片已经发展了二十多年，产品已经更新到了第六代，而国内却还没有任何一家生产IGBT芯片的企业，中间的差距大得难以想象。
而从全球几大IGBT厂商的交期来看，似乎也显示出IGBT确实紧俏。目前IGBT主要由欧、日大厂主导，英飞凌的全球IGBT市占率超过32%，此外，日本富士电机、安森美、东芝、意法半导体等也是主要供应商，这几大IGBT厂商的交货期也平均在50周左右。据富昌电子2023年2月17日发布的《2023 Q1芯片市场行情报告》数据显示，安森美的IGBT交货期为39-62周，英飞凌的IGBT货期为39-50周，IXYS（艾赛斯）的IGBT交期为50-54周，Microsemi的IGBT 货期为42-52周，ST的IGBT货期为47-52周。不过，这些厂商的交期和价格趋势均呈现稳定状态，市场比较健康。
8、igbt芯片国内龙头企业“目前，国内很多企业都在做IGBT，并取得一定的成绩。小功率的户用逆变器中的IGBT已经可以实现国内企业供给，大功率的集中逆变器IGBT国内供货厂家也较多。但是大功率组串逆变器因为电流较大，开关频率高、功率密度高，目前国内还没合适的IGBT厂商，这或将成为IGBT最后攻关的方向。相信在1-2年后国内会有合格的供方。”上述光伏从业者说。
中商情报网讯：IGBT作为一种新型功率半导体器件，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源汽车、消费电子、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。
分析人士指出，市场的快速进展增强国内市场对国产IGBT产品的信心，但高光之下仍有阴影。
9、igbt芯片内部结构讲解而在看到IGBT芯片的潜力之后，德国西门子、日本三菱、富士也都相继开始研制IGBT芯片，尤其是电力设备发达的德国，在这一方面的投入更大，取得的成就也更加辉煌。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、政策研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。
在雷光寅看来，中国企业未能深度参与到IGBT全球产业链供应链中是造成供需错配的重要原因之一。“我国IGBT长期以来依赖进口，此前车规级IGBT进口产品一度占到9成。近年来，我国新能源产业发展迅猛，特别是新能源汽车产业在过去5到10年增长了近50%，去年产销同比增长甚至超过90%。这是海外厂商所无法预料的，因此没有办法及时扩产。此外，海外厂商对市场扩张一般采取保守态度，也不会轻易扩产。”雷光寅指出。
10、igbt芯片龙头股在SiC如日中天的大环境下，IGBT又为何还能如此香？联想近日特斯拉的一些做法，让我们再来重新审视一下IGBT和SiC这两者的存在意义。
业内人士分析，这一轮IGBT需求的高涨主要是由于全球电动汽车、太阳能等新能源应用的快速发展。2022年，消费电子应用市场需求下行，但光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛。
中国光伏行业协会预测，2025 年全球光伏逆变器新增装机量有望达 330GW。浙商证券分析称，按照IGBT占组串式逆变器和集中式逆变器BOM成本（物料成本）的18%和15%计算，预计全球光伏逆变器用IGBT市场规模将以17.6%的增速扩大，到2025年市场规模将超过百亿。
